半導体記憶装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：青木篤 , 伊坪公一 , 樋口外治 , 榎原正巳 , 倉地保幸 , 小林龍
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-171303
公開番号（公開出願番号）：特開2001-006389
特許番号：特許第4603111号
出願日： 1999年06月17日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
請求項（抜粋）：

【請求項1】外部から供給されるアドレス信号に基づき、複数のメモリセルから特定のメモリセルを選択してデータの書き込みまたは読み出しを行うための複数の選択線を配置してなる半導体記憶装置において、前記複数の選択線の中で、一方の端に位置する少なくとも2本の第1の冗長選択線、および他方の端に位置する少なくとも2本の第2の冗長選択線と、前記アドレス信号をデコードした複数のデコード信号線を、前記複数の選択線および前記冗長選択線に切替可能に接続するために、少なくとも2段に配置された第1のスイッチ部および第2のスイッチ部とを備え、前記複数の選択線内に欠陥が発生した場合に、前記第1のスイッチ部により、前記デコード信号線の少なくとも1本を前記第1の冗長選択線の方向にシフトさせる第1の切替動作を行うか、または、前記デコード信号線の少なくとも1本を前記第2の冗長選択線の方向にシフトさせる第2の切替動作を行うか、または、前記第1の切替動作と前記第2の切替動作の双方の切替動作を行うようにし、前記第2のスイッチ部により、前記第1の切替動作を行った前記デコード信号線の少なくとも1本を、さらに前記第1の冗長選択線の方向にシフトさせる第3の切替動作を行うか、または、前記第2の切替動作を行った前記デコード信号線の少なくとも1本を、さらに前記第2の冗長選択線の方向にシフトさせる第4の切替動作を行うか、または、前記第3の切替動作と前記第4の切替動作の双方の切替動作を行うか、または、前記第3の切替動作と前記第4の切替動作のいずれの切替動作も行わないようにすることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (4件)：

G11C 29/04 ( 200 6.01) , G11C 11/413 ( 200 6.01) , G11C 11/401 ( 200 6.01) , G11C 16/06 ( 200 6.01)

FI (4件)：

G11C 29/00 603 D , G11C 11/34 341 C , G11C 11/34 371 D , G11C 17/00 639 A

引用特許：

審査官引用 (12件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-205722 出願人：三菱電機株式会社
欠陥を迂回する方法及びその回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-294881 出願人：サン・マイクロシステムズ・インコーポレーテッド
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-036189 出願人：株式会社沖マイクロデザイン宮崎, 沖電気工業株式会社

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