特許

J-GLOBAL ID：201103019055247397

有機薄膜トランジスタの製造方法、有機薄膜トランジスタレイの製造方法及び表示装置の製造方法

発明者： 油谷 圭一郎 ,  松本 真二 ,  山本 諭 ,  毛利 匡貴 ,  匂坂 俊也 ,  篠田 雅人 ,  後藤 大輔 ,  岡田 崇 ,  鳥居 昌史 ,  加藤 拓司
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-052396
公開番号（公開出願番号）：特開2011-187750
出願日： 2010年03月09日
公開日（公表日）： 2011年09月22日
要約：

【課題】有機薄膜トランジスタを高い歩留まりで製造する製造方法を提供する。【解決手段】基板上又は基板上における絶縁膜上にソース電極及びドレイン電極を形成する電極形成工程と、有機半導体インクが供給された際、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上における前記有機半導体インクの接触角を前記基板上又は前記絶縁膜上における接触角よりも高くする電極処理工程と、形成された前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間に前記有機半導体インクを供給することにより有機半導体層を形成する半導体層形成工程と、を有し、前記ソース電極と前記ドレイン電極とにより形成されるチャネルのチャネル幅をW、前記有機半導体インクが供給される際の液滴の液滴径をφ、前記液滴が供給される位置の誤差である着弾位置誤差幅をXとした場合、W>φ+Xを満たしていることを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法を提供することにより上記課題を解決する。【選択図】 図11

請求項（抜粋）：

基板上又は基板上における絶縁膜上にソース電極及びドレイン電極を形成する電極形成工程と、 有機半導体インクが供給された際、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上における前記有機半導体インクの接触角を前記基板上又は前記絶縁膜上における接触角よりも高くする電極処理工程と、 形成された前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間に前記有機半導体インクを供給することにより有機半導体層を形成する半導体層形成工程と、 を有し、 前記ソース電極と前記ドレイン電極とにより形成されるチャネルのチャネル幅をW、前記有機半導体インクが供給される際の液滴の液滴径をφ、前記液滴が供給される位置の誤差である着弾位置誤差幅をXとした場合、 W>φ+X を満たしていることを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (7件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/288 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 51/40

FI (10件)：

H01L29/78 616K ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 627C ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/288 Z ,  H01L21/28 B ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 220D ,  H01L29/28 370 ,  H01L29/78 618B

Fターム (48件)：

4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD34 ,  4M104DD51 ,  4M104DD89 ,  4M104DD99 ,  4M104EE03 ,  4M104EE18 ,  4M104GG09 ,  4M104GG14 ,  4M104HH08 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK42 ,  5F110HL07 ,  5F110HL23 ,  5F110NN04 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35

引用特許：

審査官引用 (6件)

• アクティブマトリクス基板、電気光学装置、電子デバイス、及びアクティブマトリクス基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-343422   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-321870   出願人：株式会社日立製作所
• 有機薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-159273   出願人：出光興産株式会社
• 薄膜トランジスタ、その製造方法、アクティブマトリクス型薄膜トランジスタアレイ及びアクティブマトリクス駆動表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-058491   出願人：株式会社リコー
• 有機薄膜トランジスタの製造方法、及び有機薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-328437   出願人：コニカミノルタホールディングス株式会社
• 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-249674   出願人：シャープ株式会社