特許
J-GLOBAL ID：201103019442889143
絶縁基板、絶縁回路基板、半導体装置、絶縁基板の製造方法及び絶縁回路基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 村山 靖彦
, 柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-165904
公開番号（公開出願番号）：特開2011-023475
出願日： 2009年07月14日
公開日（公表日）： 2011年02月03日
要約：
【課題】放熱特性に優れ、かつ、冷熱サイクル負荷時において半導体素子に熱応力が作用することを抑制することが可能な絶縁基板、この絶縁基板を用いた絶縁回路基板および半導体装置、並びに、絶縁基板の製造方法及び絶縁回路基板の製造方法を提供する。【解決手段】金属基複合材料からなる基板本体11と、この基板本体11の一方の面に形成された絶縁被膜15と、を備えた絶縁基板10であって、基板本体11の室温から200°Cまでの熱膨張係数が10×10-6/°C以下、熱伝導率が190W/(m・K)以上、抗折強度が30MPa以上に設定されており、絶縁被膜15は、基板本体11の一方の面に絶縁性材料からなる粉末を衝突させることによって形成されていることを特徴とする。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
金属基複合材料からなる基板本体と、この基板本体の一方の面に形成された絶縁被膜と、を備えた絶縁基板であって、
前記基板本体の室温から200°Cまでの熱膨張係数が10×10-6/°C以下、熱伝導率が190W/(m・K)以上、抗折強度が30MPa以上に設定されており、
前記絶縁被膜は、前記基板本体の一方の面に絶縁性材料からなる粉末を衝突させることによって形成されていることを特徴とする絶縁基板。
IPC (4件)：
H01L 23/14
, H01L 23/12
, H05K 1/05
, H05K 3/44
H01L23/14 M
, H01L23/12 Q
, H05K1/05 B
, H05K3/44 A
5E315AA05
, 5E315AA07
, 5E315BB01
, 5E315BB03
, 5E315BB11
, 5E315CC05
, 5E315CC29
, 5E315GG01
