プラズマ処理装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：岩田今日文 , 瀬戸さより
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-165231
公開番号（公開出願番号）：特開2000-353667
特許番号：特許第4223143号
出願日： 1999年06月11日
公開日（公表日）： 2000年12月19日
請求項（抜粋）：

【請求項1】上部プレートと底部プレートと円筒形側壁を有する反応容器で、CVD過程によって基板上に膜を堆積するため、または基板の表面をエッチングするためのプラズマ処理装置であり、前記反応容器から電気的に絶縁されかつ容量型にて結合され、非磁性金属で作らドームの形状である上部電極と金属で作られる下部電極を有し、前記基板は前記下部電極の上に搭載され、前記上部電極と前記下部電極の間でプラズマが生成され、前記上部電極の外側表面で配列される複数のリングマグネットを有し、これらのリングマグネットは同心円状の位置関係を有し、かつその共通の中心は前記上部電極の中心に一致しており、前記反応容器の内側に向かう前記リングマグネットの極性は交互に変えられ、前記リングマグネットは前記上部電極の内側表面の近くで閉じた磁束線を有する円形線状のカスプ磁界を生成する、ことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ( 200 6.01) , C23C 16/505 ( 200 6.01) , H01L 21/3065 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/505 , H01L 21/302 101 F

引用特許：

審査官引用 (5件)

プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-340682 出願人：三菱電機株式会社
プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-272102 出願人：アネルバ株式会社, 佐藤徳芳, 飯塚哲
プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-364641 出願人：アネルバ株式会社

全件表示

前のページに戻る