特許
J-GLOBAL ID：201103021415588110

スイッチング素子およびスイッチング素子を用いた半導体装置

発明者：
伴野 直樹

伴野 直樹 について

, 
多田 宗弘

多田 宗弘 について

, 
阪本 利司

阪本 利司 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (2件)： 石川 泰男 ,  今井 孝弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-245522
公開番号（公開出願番号）：特開2011-091317
出願日： 2009年10月26日
公開日（公表日）： 2011年05月06日
要約：
【課題】酸化物イオン伝導層を用いた電気化学反応を利用したスイッチング素子を再構成可能LSIの配線切り換えスイッチに適用する場合、オフ時にかかるロジック動作電圧に対する保持耐性(ディスターブ)が十分でない。【解決手段】酸化ジルコニウムを含む酸化ジルコニウム系イオン伝導層を用いてスイッチを形成する。酸化ジルコニウム系のイオン伝導層を用いたスイッチング素子は従来のスイッチング素子に比べて、印加電圧に対する保持時間の依存性が大きく、ロジック動作印加時には再構成LSIに必要な保持耐性を維持できる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1電極と、第2電極と、該第1電極および第2電極間に配置された酸化物を含むイオン伝導層を有する2端子スイッチング素子であって、 前記2端子スイッチング素子は、 前記第1電極と前記第2電極との間に電圧を印加する際、 前記第1電極は、前記イオン伝導層に金属イオンを供給し、 前記第1電極から前記イオン伝導層に供給された金属イオンは、前記第2電極から電子を受け取って金属となり析出し、 前記析出した金属の成長によって、前記第1電極と前記第2電極とが金属架橋により接続されて、第1電極と第2電極との抵抗が変化するスイッチング動作方式を採り、 前記イオン伝導層は、酸化ジルコニウムを含むことを特徴とする2端子スイッチング素子。
IPC (4件)：
H01L 49/00 ,  H01L 27/10 ,  H01L 45/00 ,  H01L 21/82
FI (4件)：
H01L49/00 Z ,  H01L27/10 451 ,  H01L45/00 Z ,  H01L21/82 A
Fターム (11件)：
5F064AA07 ,  5F064AA08 ,  5F064BB02 ,  5F064BB37 ,  5F064FF04 ,  5F064FF45 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA60 ,  5F083PR03
引用特許：
審査官引用 (4件)
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