特許
J-GLOBAL ID：201103022607837381

担体基材から層又は層系を分離し、かつ別の担体に続けて施与する方法

発明者：
フランツ レルマー

フランツ レルマー について

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ヴィルヘルム フライ

ヴィルヘルム フライ について

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ハンス アルトマン

ハンス アルトマン について


出願人/特許権者：
ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング

ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング について


代理人 (4件)： 矢野 敏雄 ,  山崎 利臣 ,  久野 琢也 ,  ラインハルト・アインゼル
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-015476
公開番号（公開出願番号）：特開平11-265876
特許番号：特許第4351319号
出願日： 1999年01月25日
公開日（公表日）： 1999年09月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 担体基材から層又は層系を分離し、かつ別の担体に続けて施与する方法において、 a)フッ化水素酸中での陽極処理により、担体基材(1)上に多孔性破断層(2)を生じさせ、破断層(2)を部分的な酸化により安定化し、かつ、部分的な酸化の後に、気体状のHFと酸化生成物との非湿式化学的反応を実施し、 b)場合により予め、破断層(2)上に破断層(2)よりも低い多孔率を有する安定化層(3)を生じさせ、 c)HFとの短時間の接触により、層(2)又は(3)の酸化物を溶かし、 d)層(2)又は(3)の上に、エピタキシャル層(4)を施与し、 e)破断層(2)を破断することにより、エピタキシャル層(4)又は安定化層(3)及びエピタキシャル層(4)を担体基材(1)から分離し、 f)エピタキシャル層(4)又は安定化層(3)及びエピタキシャル層(4)を別の担体上に施与し、かつ g)場合により、安定化層(3)及び/又は残りの破断層(2)をエピタキシャル層(4)から溶かすことを特徴とする、担体基材から層又は層系を分離し、かつ別の担体に続けて施与する方法。
IPC (2件)：
H01L 21/306 ( 200 6.01) ,  H01L 21/3063 ( 200 6.01)
FI (2件)：
H01L 21/306 B ,  H01L 21/306 L
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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