特許
J-GLOBAL ID：201103022678016915
光半導体装置用リードフレーム、その製造方法および光半導体装置
発明者：
,
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
飯田 敏三
, 宮前 尚祐
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-087432
公開番号（公開出願番号）：特開2011-146741
出願日： 2011年04月11日
公開日（公表日）： 2011年07月28日
要約：
【課題】特に近紫外領域の反射率特性が良好であり、長期に輝度の低下が生じない光半導体装置用リードフレーム、その製造方法および光半導体装置を提供する。【解決手段】導電性基体上に銀または銀合金からなる層が形成された光半導体装置用リードフレームであって、最外層として金、金合金、パラジウム、およびパラジウム合金からなる群から選ばれた金属またはその合金からなる表層を有し、該表層と前記銀または銀合金からなる層との間に、前記表層の主成分である金属材料と銀との固溶体層が形成され、前記固溶体層は、前記表層側から濃度分布を有する光半導体装置用リードフレーム。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
導電性基体上に銀または銀合金からなる層が形成された光半導体装置用リードフレームであって、最外層として耐食性に優れた金属またはその合金からなる表層を有し、その表層の耐食性に優れた金属成分の濃度は、前記表層の最表部において50質量%以上であって、かつその被覆厚が0.001〜0.25μmであり、該表層と前記銀または銀合金からなる層との間には、前記表層の主成分である金属材料と銀との固溶体層が形成され、
前記表層の耐食性に優れた金属またはその合金は、金、金合金、パラジウム、およびパラジウム合金からなる群から選ばれた半導体装置用リードフレームであって、前記固溶体層は、前記表層を形成する主たる金属成分を含み、かつ該金属成分は前記表層側から前記銀または銀合金からなる層側にかけて濃度分布を有し、前記金属成分の前記固溶体層における濃度分布は、前記表層側が高く、該表層と前記銀または銀合金からなる層側が低いことを特徴とする光半導体装置用リードフレーム。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L23/50 A
, H01L33/00 432
5F041AA04
, 5F041AA11
, 5F041DA26
, 5F067AA00
, 5F067DC17
, 5F067DC18
, 5F067EA01
, 5F067EA04
, 5F067EA06
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (1件)
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