特許
J-GLOBAL ID：201103023533305613

半導体装置およびその製造方法

発明者：
平井 友洋

平井 友洋 について


出願人/特許権者：
ルネサスエレクトロニクス株式会社

ルネサスエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (3件)： 速水 進治 ,  野本 可奈 ,  天城 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-175192
公開番号（公開出願番号）：特開2011-029483
出願日： 2009年07月28日
公開日（公表日）： 2011年02月10日
要約：
【課題】仕事関数を十分に制御することができ、閾値電圧の変動を抑制した半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置1は、半導体基板10に第1導電型チャネルMOSFETを備える。第1導電型チャネルMOSFETは、例えばPチャネルMOSFETであって、半導体基板10の上に設けられたゲート絶縁膜21と、ゲート電極65とからなる。ゲート電極65は、ゲート絶縁膜21の上に設けられた金属ゲート電極20と、金属ゲート電極20の上に設けられた金属酸化膜24と、金属酸化膜24の上に設けられた金属ゲート電極26と、を含んでいる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上に第1導電型チャネルMOSFETを備える半導体装置であって、 前記半導体基板の上に設けられた第1のゲート絶縁膜と、 前記第1のゲート絶縁膜の上に設けられた第1の金属ゲート電極と、 前記第1の金属ゲート電極の上に設けられた金属酸化膜と、 前記金属酸化膜の上に設けられた第2の金属ゲート電極と、を含む、半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/49 ,  H01L 29/423 ,  H01L 21/283
FI (5件)：
H01L27/08 321D ,  H01L29/78 301G ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/58 G ,  H01L21/283 C
Fターム (81件)：
4M104AA01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB36 ,  4M104CC05 ,  4M104DD16 ,  4M104DD37 ,  4M104DD64 ,  4M104DD65 ,  4M104DD72 ,  4M104DD84 ,  4M104EE08 ,  4M104EE16 ,  4M104FF13 ,  4M104FF14 ,  4M104FF18 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH05 ,  5F048AA07 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB10 ,  5F048BB11 ,  5F048BB13 ,  5F048BB14 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048BF06 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048BG02 ,  5F048BG03 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30 ,  5F140AA06 ,  5F140AB03 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BF05 ,  5F140BF06 ,  5F140BF07 ,  5F140BF10 ,  5F140BF15 ,  5F140BF16 ,  5F140BF17 ,  5F140BF20 ,  5F140BF22 ,  5F140BF24 ,  5F140BF25 ,  5F140BF26 ,  5F140BF27 ,  5F140BF28 ,  5F140BF29 ,  5F140BF30 ,  5F140BF35 ,  5F140BG09 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG39 ,  5F140BH14 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140CB04
引用特許：
審査官引用 (5件)
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