特許
J-GLOBAL ID：200903030173064448

半導体装置及びその製造方法

発明者：
市原 玲華

市原 玲華 について

, 
土屋 義規

土屋 義規 について

, 
田中 洋毅

田中 洋毅 について

, 
吉木 昌彦

吉木 昌彦 について

, 
小山 正人

小山 正人 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (22件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  福原 淑弘 ,  峰 隆司 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  幸長 保次郎 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  勝村 紘 ,  橋本 良郎 ,  風間 鉄也 ,  河井 将次 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子 ,  竹内 将訓 ,  市原 卓三 ,  山下 元
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-339944
公開番号（公開出願番号）：特開2009-164207
出願日： 2007年12月28日
公開日（公表日）： 2009年07月23日
要約：
【課題】低い閾値電圧のnチャネル型MISトランジスタを含む半導体装置を実現する。【解決手段】半導体装置は、半導体基板と、半導体基板の主面に形成されたn型半導体領域とp型半導体領域と、半導体基板上に形成され、n型半導体領域とp型半導体領域を露出するように形成された第1と第2のトレンチを有する第1の絶縁層と、第1と第2のトレンチの側壁と底部に沿って形成されたゲート絶縁膜と、第1のトレンチの側壁と底部に沿って形成されゲート絶縁膜を介して内張りされた第1の金属層と、第2のトレンチの側壁と底部に沿って形成されゲート絶縁膜を介して1モノレイヤー以上で1.5nm以下の厚さに内張りされた第2の金属層と、第2の金属層上に内張りされたアルカリ土類金属元素、III族金属元素の単体、窒化物、炭化物、酸化物の内の少なくとも1つの金属元素を含む第3の金属層と、第1と第2のソース/ドレイン領域を具備することを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板と、 前記半導体基板の主面に互いに離隔して形成されたn型半導体領域とp型半導体領域と、 前記半導体基板上に形成され、前記n型半導体領域とp型半導体領域とを露出するように夫々形成された第1と第2のトレンチを有する第1の絶縁層と、 前記第1と第2のトレンチの側壁と底部に沿って形成されたゲート絶縁膜と、 前記第1のトレンチの側壁と底部に沿って、前記ゲート絶縁膜を介して設けられた第1の金属層と、 前記第2のトレンチの側壁と底部に沿って、前記ゲート絶縁膜を介して1モノレイヤー以上で1.5nm以下の厚さに内張りされた第2の金属層と、 前記第2の金属層上に内張りされたアルカリ土類金属元素、III族元素の内の少なくとも1つの金属元素の単体、窒化物、炭化物、酸化物の内の少なくとも1つを含む第3の金属層と、 前記ゲート絶縁膜を挟む前記n型半導体領域とp型半導体領域に、夫々形成された第1と第2のソース/ドレイン領域と、 を具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49
FI (4件)：
H01L27/08 321D ,  H01L29/78 301G ,  H01L27/08 321N ,  H01L29/58 G
Fターム (79件)：
4M104BB04 ,  4M104BB19 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB34 ,  4M104BB36 ,  4M104CC05 ,  4M104DD02 ,  4M104DD03 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD75 ,  4M104DD78 ,  4M104DD84 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F048AA09 ,  5F048AC03 ,  5F048BB01 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB09 ,  5F048BB10 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB13 ,  5F048BB15 ,  5F048BB17 ,  5F048BC15 ,  5F048BE03 ,  5F048BF06 ,  5F048BG13 ,  5F048DA23 ,  5F140AA06 ,  5F140AB03 ,  5F140BA01 ,  5F140BD02 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD11 ,  5F140BD17 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF03 ,  5F140BF11 ,  5F140BF13 ,  5F140BF14 ,  5F140BF15 ,  5F140BF17 ,  5F140BF20 ,  5F140BF21 ,  5F140BF23 ,  5F140BF27 ,  5F140BF30 ,  5F140BG01 ,  5F140BG08 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30 ,  5F140BG36 ,  5F140BG38 ,  5F140BG40 ,  5F140BG44 ,  5F140BH14 ,  5F140BH27 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ30 ,  5F140BK02 ,  5F140BK12 ,  5F140BK29 ,  5F140BK34 ,  5F140BK38 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CC00 ,  5F140CE02 ,  5F140CE05
引用特許：
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM