特許
J-GLOBAL ID：201103023671758599
磁気抵抗効果薄膜
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (6件)：
福田 武通
, 福田 賢三
, 福田 伸一
, 福田 武通
, 福田 賢三
, 福田 伸一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-204443
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340425
特許番号：特許第4496320号
出願日： 1999年07月19日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】MnSb、MnAs、砒化クロムから選ばれる粒子径が3〜100nmの強磁性粒子をSb、Al、As、Bi、Si、Ge、GaAs、AlAs、InAs、InSb、GaN、AlN 、ZnO 、ZnSe、CdTe、CdS 、酸化アンチモン、酸化マンガン、酸化アルミニウムから選ばれる厚みが1〜100nmの非磁性膜にて覆い、その非磁性膜を介した電極間の抵抗が磁場の印加により変化するようにしたことを特徴とする磁気抵抗効果薄膜。
IPC (4件)：
H01F 10/18 ( 200 6.01)
, H01F 10/30 ( 200 6.01)
, C23C 14/06 ( 200 6.01)
, H01L 43/08 ( 200 6.01)
H01F 10/18
, H01F 10/30
, C23C 14/06 G
, H01L 43/08 Z
