特許
J-GLOBAL ID：201103023945331899

薄膜トランジスタ

発明者：
宮永 昭治

宮永 昭治 について

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坂田 淳一郎

坂田 淳一郎 について

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坂倉 真之

坂倉 真之 について

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高橋 正弘

高橋 正弘 について

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岸田 英幸

岸田 英幸 について

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山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-255538
公開番号（公開出願番号）：特開2011-129897
出願日： 2010年11月16日
公開日（公表日）： 2011年06月30日
要約：
【課題】電気特性が良好な、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】薄膜トランジスタは、基板上に設けられたゲート電極と、ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート電極およびゲート絶縁膜上に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上に設けられた金属酸化物膜と、金属酸化物膜上に設けられた金属膜と、を有し、酸化物半導体膜は、金属酸化物膜と接し、且つ、酸化物半導体膜の他の領域よりも金属濃度が高い領域(金属高濃度領域)を有する。金属高濃度領域には、酸化物半導体膜に含まれる金属が、結晶粒または微結晶として存在していてもよい。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に設けられたゲート電極と、 前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、 前記ゲート電極および前記ゲート絶縁膜上に設けられ、インジウム、ガリウム、および亜鉛を含む酸化物半導体膜と、 前記酸化物半導体膜上に設けられた酸化チタン膜と、 前記酸化チタン膜上に設けられたチタン膜と、を有し、 前記酸化物半導体膜は、前記酸化チタン膜と接し、且つ、前記酸化物半導体膜の他の領域よりもインジウムの濃度が高い領域を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (5件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417
FI (9件)：
H01L29/78 616V ,  H01L29/78 618Z ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618G ,  H01L29/78 627F ,  H01L29/78 616U ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/50 M
Fターム (94件)：
2H092JA24 ,  2H092JA28 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA39 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KA08 ,  2H092KA12 ,  2H092KA18 ,  2H092MA04 ,  2H092MA05 ,  2H092MA13 ,  2H092MA17 ,  2H092NA21 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB39 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD64 ,  4M104FF08 ,  4M104FF17 ,  4M104GG09 ,  4M104GG14 ,  5F110AA06 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD07 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF35 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG15 ,  5F110GG22 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ11 ,  5F110HJ30 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK08 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK42 ,  5F110HM07 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN34 ,  5F110NN39 ,  5F110NN40 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ09
引用特許：
審査官引用 (4件)
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