特許
J-GLOBAL ID：200903024505343940

酸化物半導体膜のドライエッチング方法

発明者：
張 建六

張 建六 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (3件)： 山下 穣平 ,  志村 博 ,  永井 道雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-216857
公開番号（公開出願番号）：特開2008-042067
出願日： 2006年08月09日
公開日（公表日）： 2008年02月21日
要約：
【課題】近年、透明酸化物半導体の開発が活発に行われ、基板上に様々の透明酸化物半導体素子が試作された。そのため、高精度及びクリーンなパターニング方法が望まれている。本発明は、基板上に成膜されたIn-Ga-Zn-Oから構成される酸化物半導体膜に、不揮発性物質を発生させることなく安定してドライエッチングを施す方法を提供する。【解決手段】少なくともInと、Gaと、Znと、を含む酸化物を、ハロゲン系ガスを含むガス雰囲気中でエッチングする方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
少なくともInと、Gaと、Znと、を含む酸化物半導体膜のエッチング方法において、ハロゲン系ガスを含むガス雰囲気中でエッチングすることを特徴とする酸化物半導体膜のドライエッチング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/306 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (3件)：
H01L21/302 105A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 627C
Fターム (36件)：
5F004AA02 ,  5F004AA03 ,  5F004AA13 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BA08 ,  5F004BA11 ,  5F004BA14 ,  5F004BA20 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004CA04 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA13 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DA30 ,  5F004DB00 ,  5F004DB19 ,  5F004DB30 ,  5F004EA03 ,  5F004EA06 ,  5F004EA07 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110GG04 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110QQ04
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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