特許
J-GLOBAL ID：201103026223181930
半導体ウェーハおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 村山 靖彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-250949
公開番号（公開出願番号）：特開2001-076981
特許番号：特許第4244459号
出願日： 1999年09月03日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 抵抗値がその軸方向に少しずつ変化している単結晶シリコンのインゴットから複数のシリコンウェーハをスライスするスライス工程と、
スライスされた前記シリコンウェーハの周縁に面取り加工を施して面取り面を形成する面取り工程と、
前記面取り工程後に、前記面取りされたシリコンウェーハをラップ加工するラップ工程と、
前記ラッピングされたシリコンウェーハをエッチング処理し加工ダメージを除去するエッチング工程と、
前記面取り工程後に前記シリコンェーハの表裏両面を鏡面化する研磨工程と、
前記研磨工程後のドナーキラーやゲッタリングをおこなう熱処理工程と、
前記各シリコンウェーハの抵抗値を測定する抵抗値測定工程と、
前記シリコンウェーハの表面または裏面の少なくとも一方に識別マークを形成するマーキング工程と、を備え、
該マーキング工程は、前記複数のシリコンウェーハを前記抵抗値の順に並べたときの順位を示した記号または番号を前記識別マークに含ませて、該抵抗値の順位により、半導体素子形成後に明確にされる前記シリコンウェーハの素子特性および歩留まりとインゴット内位置との関係に基く単結晶引上成長へのフィードバックを容易にするスライス順位を、前記インゴット内の位置情報としてマークすることを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/02 ( 200 6.01)
, H01L 21/304 ( 200 6.01)
H01L 21/02 A
, H01L 21/304 611 A
