特許
J-GLOBAL ID：201103026375004324
薄膜検査方法および装置ならびにマイクロデバイスの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
星宮 勝美
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-350558
公開番号（公開出願番号）：特開2003-149176
特許番号：特許第3810303号
出願日： 2001年11月15日
公開日（公表日）： 2003年05月21日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 既知の組成からなる薄膜を含む試料における前記薄膜および前記薄膜に隣接し前記薄膜とは組成が異なる異種層の構造を検査する薄膜検査方法であって、
前記試料について、所定の条件で、ラザフォード後方散乱分光分析法によって後方散乱イオンのエネルギスペクトルを測定する手順と、
前記の既知の組成からなる仮想薄膜を想定して、この仮想薄膜について、前記試料についての測定の際の条件と同じ条件下でラザフォード後方散乱分光分析法によって得られる後方散乱イオンのエネルギスペクトルをシミュレーションによって決定する手順と、
前記シミュレーションによって決定されたエネルギスペクトルと前記測定されたエネルギスペクトルとの差のスペクトルを求める手順と、
前記差のスペクトルにおけるピーク部分の位置とピーク部分の積分強度に基づいて、前記薄膜および前記異種層の構造を解析する手順と
を備えたことを特徴とする薄膜検査方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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