特許
J-GLOBAL ID：201103026863073742
パワーモジュール用基板及びその製造方法並びにこの基板を用いた半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須田 正義
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-235059
公開番号（公開出願番号）：特開2001-035982
特許番号：特許第3864282号
出願日： 1999年08月23日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】表面に回路パターン(17)が形成されたセラミック基板(11)と、前記セラミック基板(11)の周囲に設けられ前記セラミック基板(11)を水冷式ヒートシンク(27)に接合可能に構成された金属枠(12)とを備えたパワーモジュール用基板において、
前記金属枠(12)が前記セラミック基板(11)又は前記回路パターン(17)を含む前記セラミック基板(11)の厚さと同一厚さを有しかつ複数の貫通孔(12a)が前記セラミック基板(11)を挟むように形成され、
前記貫通孔(12a)に連通する通孔(13a)を有しかつ前記セラミック基板(11)又は前記回路パターン(17)の表面周囲の一部又は全部に下面が当接する当接部(13b)を含む金属薄板(13)が前記金属枠(12)の表面に配置され、
前記通孔(13a)及び貫通孔(12a)に雄ねじ(26)を挿通して前記雄ねじ(26)を水冷式ヒートシンク(27)に形成された雌ねじ(27a)又は前記水冷式ヒートシンク(27)に貫通して形成された取付孔(27c)に更に挿通してナット(31)に螺合することにより、前記当接部(13b)の下面に当接する前記回路パターン(17)が形成されたセラミック基板(11)を前記水冷式ヒートシンク(27)に接合するように構成された
ことを特徴とするパワーモジュール用基板。
IPC (3件)：
H01L 23/40 ( 200 6.01)
, H01L 25/07 ( 200 6.01)
, H01L 25/18 ( 200 6.01)
H01L 23/40 Z
, H01L 25/04 C
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (1件)
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