特許
J-GLOBAL ID：201103027368535841
CMOS半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
前田 弘
, 小山 廣毅
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-086501
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277627
特許番号：特許第4512214号
出願日： 1999年03月29日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 一の基板に形成され、電圧が相対的に低い第1の電源電圧又は相対的に高い第2の電源電圧により駆動される多数の電界効果トランジスタを備えた半導体装置であって、
前記多数の電界効果トランジスタのうちゲート長が最も小さい群に属する電界効果トランジスタは、
膜厚が相対的に小さい第1のゲート絶縁膜を有する第1の電界効果トランジスタと、
膜厚が相対的に大きい第2のゲート絶縁膜を有する第2の電界効果トランジスタとを含み、
前記第1の電界効果トランジスタは、第1のゲート電極及び第1のドレイン電極を有し、前記第1のゲート電極及び第1のドレイン電極には前記第1の電源電圧が印加され、
前記第2の電界効果トランジスタは、第2のゲート電極及び第2のドレイン電極を有し、前記第2のゲート電極には前記第2の電源電圧が印加され、前記第2のドレイン電極には前記第1の電源電圧が印加され、
前記第2の電界効果トランジスタは、N型電界効果トランジスタとP型電界効果トランジスタから構成されており、
前記N型電界効果トランジスタにおいては、前記P型電界効果トランジスタに比較して相対的に接合深さが浅いエクステンション領域を有し、且つ、しきい値電圧制御用の不純物濃度を、相対的に低い電圧で駆動する前記第1の電界効果トランジスタよりも相対的に低くし、
前記P型電界効果トランジスタにおいては、前記N型電界効果トランジスタに比較して相対的に接合深さが深いエクステンション領域と、ショートチャネル効果によるしきい値電圧値の減少分と逆ショートチャネル効果によるしきい値電圧値の増加分と打ち消し合うために必要な不純物濃度をポケット注入した、前記深いエクステンション領域の接合部周辺に形成されるポケット領域とを有することを特徴とするCMOS半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/8238 ( 200 6.01)
, H01L 27/092 ( 200 6.01)
, H01L 21/8242 ( 200 6.01)
, H01L 27/108 ( 200 6.01)
, H01L 27/10 ( 200 6.01)
H01L 27/08 321 D
, H01L 27/08 321 K
, H01L 27/10 671 Z
, H01L 27/10 461
