特許
J-GLOBAL ID：201103027984376110

半導体ウェーハの製造方法

発明者：
黒田 幸夫

黒田 幸夫 について

, 
田中 恵一

田中 恵一 について


出願人/特許権者：
三菱住友シリコン株式会社

三菱住友シリコン株式会社 について


代理人 (1件)： 安倍 逸郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-221446
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044153
特許番号：特許第3596363号
出願日： 1999年08月04日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
請求項（抜粋）：
【請求項1】半導体ウェーハをエッチングするエッチング工程と、エッチング後、この半導体ウェーハの表面を研磨する研磨工程と、半導体ウェーハの研磨面の平坦度を検査する検査工程と、検査工程で、平坦度不良と判定された半導体ウェーハの研磨面にプラズマエッチングを施す再生エッチング工程とを備えた半導体ウェーハの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 ,  H01L 21/3065
FI (2件)：
H01L 21/304 622 P ,  H01L 21/302 101 L
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM