特許
J-GLOBAL ID：201103029300908324

強誘電体キャパシタ及びその製造方法並びに強誘電体メモリ

発明者：
日 高 修

日 高 修 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (4件)： 佐藤 一雄 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  日向寺 雅彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-309162
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127264
特許番号：特許第4074734号
出願日： 1999年10月29日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1の電極層と、 前記第1の電極層の上に設けられた強誘電体層と、 前記強誘電体層の上に設けられ、イリジウム(Ir)またはその酸化物の少なくともいずれかを含有する第1の層と、 前記第1の層の上に設けられ、第2の金属元素またはその酸化物の少なくともいずれかを含有する第2の層と、 前記第2の層の上に設けられ、第3の金属元素を主成分とする第3の層と、 を備え、 前記第2の金属元素は、タリウム(Tl)、鉛(Pb)、ルビジウム(Rb)、セシウム(Cs)、すず(Sn)、ルテニウム(Ru)、ロジウム(Rh)、オスミウム(Os)、ニオブ(Nb)、バナジウム(V)、ビスマス(Bi)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)及びレニウム(Re)よりなる群から選択された少なくともいずれかであることを特徴とする強誘電体キャパシタ。
IPC (2件)：
H01L 21/8246 ( 200 6.01) ,  H01L 27/105 ( 200 6.01)
FI (1件)：
H01L 27/10 444 C
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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