特許
J-GLOBAL ID：201103029436044951

キャパシタの製造方法

発明者：
趙 福 ▲猿▼

趙 福 ▲猿▼ について

, 
崔 乗 載

崔 乗 載 について

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千 栄 一

千 栄 一 について


出願人/特許権者：
株式会社ハイニックスセミコンダクター

株式会社ハイニックスセミコンダクター について


代理人 (4件)： 恩田 博宣 ,  恩田 誠 ,  本田 淳 ,  池上 美穂
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-357266
公開番号（公開出願番号）：特開2000-196042
特許番号：特許第4441026号
出願日： 1999年12月16日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板上に層間絶縁膜を形成し、当該層間絶縁膜に前記キャパシタ形成領域を定義し、キャパシタ形成領域の層間絶縁膜を取り除く段階と、 前記層間絶縁膜の除去された部分を含む半導体基板の全面に半導体層を形成し、前記半導体層上に平坦化用の絶縁膜を形成し、前記層間絶縁膜の表面が露出するまで前記平坦化用の絶縁膜及び半導体層を除去して露出された頂点部を有するシリンダ構造のキャパシタ下部電極を形成する段階と、 前記層間絶縁膜及び平坦化用の絶縁膜をマスクとして用いて前記下部電極の露出された頂点部に不純物イオンを注入する段階と、 前記平坦化用の絶縁膜及び層間絶縁膜を全て取り除く段階と、 前記頂点部を除いた下部電極の表面にHSG-Siを形成する段階と を備えることを特徴とするキャパシタの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/8242 ( 200 6.01) ,  H01L 27/108 ( 200 6.01)
FI (2件)：
H01L 27/10 621 C ,  H01L 27/10 681 Z
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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