特許
J-GLOBAL ID：201103029691793070
成膜方法及びスパッタリング装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
長谷川 芳樹
, 山田 行一
, 池田 成人
, 城戸 博兒
, 池田 正人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-309539
公開番号（公開出願番号）：特開2001-131740
特許番号：特許第4578598号
出願日： 1999年10月29日
公開日（公表日）： 2001年05月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 真空処理チャンバに配置された銅製のターゲットからスパッタリングされた銅粒子を、前記真空処理チャンバ内の基板支持手段により支持された基板上に堆積させ銅の膜を形成する成膜方法であって、
前記真空処理チャンバ内にスパッタリングを開始するためのプロセスガスを供給するステップと、
前記真空処理チャンバ内に供給されたプロセスガスをプラズマ化し、当該プラズマ中に含まれる前記プロセスガスのイオンを前記ターゲットに衝撃させて銅粒子をスパッタリングするステップと、
前記ターゲットからスパッタリングされた銅粒子の一部をイオン化し、当該銅イオンを前記ターゲットに衝撃させて銅粒子をスパッタリングするステップと、
前記銅イオンのみによりスパッタリングを継続すべく前記プロセスガスの供給を停止するステップと、
前記プロセスガスの供給を停止した後、前記銅イオンによるスパッタリングが行われている間、水素ガスを前記真空処理チャンバ内に供給するステップと、
を含むことを特徴とする成膜方法。
IPC (3件)：
C23C 14/34 ( 200 6.01)
, H01L 21/203 ( 200 6.01)
, H01L 21/285 ( 200 6.01)
C23C 14/34 M
, H01L 21/203 S
, H01L 21/285 S
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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