エッチング方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：佐藤一雄 , 橘谷英俊 , 佐藤泰和 , 日向寺雅彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-300633
公開番号（公開出願番号）：特開2001-345310
特許番号：特許第3974319号
出願日： 2000年09月29日
公開日（公表日）： 2001年12月14日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板上に形成された窒化物からなる膜を用意する工程と、前記窒化物からなる膜のエッチングすべき領域に水素イオンを導入する工程と、前記水素イオンを導入した後に、前記窒化物からなる膜を酸素プラズマ雰囲気に晒すことにより、前記エッチングすべき領域を選択的に除去する工程と、を備え、前記窒化物からなる膜は、クロム(Cr)、チタン(Ti)、アルミニウム(Al)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、ガリウム(Ga)、インジウム(In)及びボロン(B)からなる群から選択された少なくとも一つの元素を含むことを特徴とするエッチング方法。

IPC (3件)：