自己整合ソースおよびウェル領域を有する炭化珪素パワーデバイスならびにその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：特許業務法人浅村特許事務所 , 浅村皓 , 浅村肇 , 林鉐三 , 清水邦明 , 大日方和幸 , 畑中孝之 , 岩見晶啓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-120724
公開番号（公開出願番号）：特開2011-193020
出願日： 2011年05月30日
公開日（公表日）： 2011年09月29日
要約：

【課題】炭化珪素の潜在的な利点にもかかわらず、パワーMOSFETを含むパワーデバイスを炭化珪素で製造することが困難であり得る。【解決手段】炭化珪素半導体デバイスおよび炭化珪素半導体デバイスの製造方法が、第1の伝導型炭化珪素層の中に、第1の伝導型のソース領域、この第1の伝導型と反対の第2の伝導型の埋込み炭化珪素領域、および第2の伝導型のウェル領域を形成するための窓を設けるためにマスク層を引き続いてエッチングすることによって提供される。ソース領域および埋込み炭化珪素領域はマスク層の第1の窓を利用して形成される。次いで、ウェル領域がマスク層の第2の窓を利用して形成され、この第2の窓は第1の窓を有するマスク層を引き続いてエッチングすることによって設けられる。【選択図】図2M

請求項（抜粋）：

第1の伝導型を有する第1の炭化珪素層と、前記第1の炭化珪素層の中にあって前記第1の伝導型を有するソース領域であって、前記ソース領域は、前記第1の炭化珪素層のキャリア濃度よりも高いキャリア濃度を有し、前記第1の炭化珪素層の第1の表面まで延在し、前記第1の伝導型のドーパントと、前記第1の伝導型とは反対の第2の伝導型のドーパントとを有する前記ソース領域と、前記ソース領域の底部に隣接し、前記ソース領域の深さよりも深い前記第1の炭化珪素層の中の深さで、前記第1の炭化珪素層の中にある第2の伝導型の炭化珪素の埋込み領域と、前記ソース領域の第1の側の前記第1の炭化珪素層の中にあって、前記第1の炭化珪素層の前記第1の表面に向かって延在している前記第2の伝導型の炭化珪素のウェル領域と、前記ソース領域の前記第1の側に対向する前記ソース領域の第2の側にあって、前記第1の炭化珪素層の前記第1の表面まで延在している前記第2の伝導型の炭化珪素のプラグ領域と、を備えることを特徴とする炭化珪素パワー半導体デバイス。

IPC (3件)：

H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 29/12

FI (6件)：

H01L29/78 658A , H01L29/78 652T , H01L29/78 658F , H01L29/78 652D , H01L29/78 652E , H01L29/78 652J

引用特許：

審査官引用 (4件)

炭化珪素半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-165686 出願人：株式会社デンソー
絶縁ゲート型半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-106589 出願人：富士電機株式会社
半導体デバイスおよびSiCトランジスタ
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-521555 出願人：エービービーリサーチリミテッド

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