特許
J-GLOBAL ID:201103030034441227

微結晶シリコン太陽電池の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件): 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎 ,  風間 鉄也
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-392602
公開番号(公開出願番号):特開2003-197938
特許番号:特許第3746711号
出願日: 2001年12月25日
公開日(公表日): 2003年07月11日
請求項(抜粋):
【請求項1】透明な絶縁性基板上に、少なくとも透明電極膜、p型、i型、n型の微結晶シリコン層および裏面電極膜が積層形成された微結晶シリコン太陽電池若しくはp型、i型、n型の微結晶を含むタンデム型薄膜シリコン太陽電池の製造方法であって、p型微結晶シリコン層を形成した後に、容器内を排気し、該容器内に炭素含有ガスを少なくとも含む原料ガスを導入するとともに、放電電極に所定周波数の高周波電力を印加して該放電電極と基板との間にプラズマを生成させ、前記p型微結晶シリコン層のi層側表面をプラズマに曝露し、プラズマ中の炭素を該表面に作用させて該表面を炭化させ、炭素を含有するシリコン層を形成し、次いで、該炭素含有シリコン層の上にi型微結晶シリコン層を形成することを特徴とする微結晶シリコン太陽電池若しくはp型、i型、n型の微結晶を含むタンデム型薄膜シリコン太陽電池の製造方法。
IPC (1件):
H01L 31/04 ( 200 6.01)
FI (2件):
H01L 31/04 B ,  H01L 31/04 V
引用特許:
出願人引用 (3件)
  • 非晶質太陽電池
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-043597   出願人:三井東圧化学株式会社
  • 特開平3-131072
  • 特開昭64-051618
審査官引用 (5件)
  • 非晶質太陽電池
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-043597   出願人:三井東圧化学株式会社
  • 特開平3-131072
  • 特開昭64-051618
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