特許

J-GLOBAL ID：201103032003444433

半導体装置

発明者： 笠原 健資 ,  大野 泰夫 ,  葛原 正明 ,  宮本 広信 ,  安藤 裕二 ,  中山 達峰 ,  国弘 和明 ,  羽山 信幸 ,  高橋 裕之 ,  松永 高治
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (3件)： 宮崎 昭夫 ,  緒方 雅昭 ,  石橋 政幸
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-196751
公開番号（公開出願番号）：特開2002-016245
特許番号：特許第4186032号
出願日： 2000年06月29日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 動作層と、該動作層上部に接して形成された引っ張り歪を有する電子供給層と、を備える半導体装置であって、 前記動作層がInXGa1-XN(1≧X≧0)からなり、 前記電子供給層が、前記動作層の上部と接する複数のAlGaN層からなり、前記複数のAlGaN層は、一の層と、前記一の層の両側に接するように形成された一の層よりも高いAl組成を有する他の層とからなり、 さらに、ゲート電極と、ゲート電極の両側に形成されたソース電極およびドレイン電極と、を備え、 前記一の層上にゲート電極が形成され、前記他の層上にソース電極およびドレイン電極が形成されたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/338 ( 200 6.01) ,  H01L 29/778 ( 200 6.01) ,  H01L 29/812 ( 200 6.01) ,  H01L 29/80 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 29/80 H ,  H01L 29/80 W

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-373612   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-056529   出願人：日本電信電話株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-069617   出願人：日本電信電話株式会社

審査官引用 (3件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-373612   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-056529   出願人：日本電信電話株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-069617   出願人：日本電信電話株式会社