特許
J-GLOBAL ID：201103032125017749

薄膜トランジスタおよびその製造方法

発明者：
吉野 太郎

吉野 太郎 について

, 
井上 和式

井上 和式 について

, 
中川 直紀

中川 直紀 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (2件)： 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-234117
公開番号（公開出願番号）：特開2011-082380
出願日： 2009年10月08日
公開日（公表日）： 2011年04月21日
要約：
【課題】オフ電流および漏れ電流が抑制された薄膜トランジスタ、および前記薄膜トランジスタを歩留り良く製造することのできる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】ゲート電極12上にゲート絶縁膜12を介して順次形成されるSi(i)膜13およびSi(n)膜14上に金属膜を形成し、フォトレジストパターン22をマスクとしてエッチングし、ソース電極15およびドレイン電極16を形成する。酸素を含むプラズマで処理して、フォトレジストパターン22の側面を後退させるとともに、ソース電極15およびドレイン電極16の側面および露出した上面にAl酸化皮膜17を形成する。残存するフォトレジストパターン22およびAl酸化皮膜17をマスクとして、チャネル部18のSi(n)膜14およびSi(i)膜13の表面の一部をエッチングする。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
絶縁性基板上に設けられるゲート電極と、 前記ゲート電極を覆って前記絶縁性基板上に設けられるゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に設けられ、チャネル部が形成される真性シリコン膜と、 前記真性シリコン膜上に設けられ、前記チャネル部で分離される導電性シリコン膜と、 前記導電性シリコン膜上に設けられ、前記チャネル部で分離されるソース電極およびドレイン電極とを備え、 前記ソース電極および前記ドレイン電極の前記チャネル部側の端部は、酸化皮膜で覆われ、 前記導電性シリコン膜の前記チャネル部側の端部は、前記ソース電極および前記ドレイン電極の前記チャネル部側の端部と略同一平面上に形成されることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (7件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/417 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/768
FI (10件)：
H01L29/78 619A ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 616T ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/50 M ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/88 N ,  H01L21/90 A ,  H01L21/90 C
Fターム (92件)：
4M104AA01 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB38 ,  4M104BB39 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD37 ,  4M104DD64 ,  4M104DD86 ,  4M104DD88 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH03 ,  4M104HH06 ,  4M104HH16 ,  5F033GG04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH10 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH20 ,  5F033HH38 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ10 ,  5F033JJ17 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ20 ,  5F033JJ38 ,  5F033KK04 ,  5F033KK05 ,  5F033KK10 ,  5F033LL02 ,  5F033LL09 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ89 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F033XX09 ,  5F033XX10 ,  5F033XX16 ,  5F033XX29 ,  5F033XX30 ,  5F110AA06 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110FF03 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG24 ,  5F110GG35 ,  5F110GG44 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK09 ,  5F110HK14 ,  5F110HK15 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HK25 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK42 ,  5F110HL07 ,  5F110HL23 ,  5F110HM02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN24 ,  5F110NN37 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ04
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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