特許
J-GLOBAL ID：201103032211433119

エッチング方法及び半導体装置の製造方法

発明者：
冨田 寛

冨田 寛 について

, 
灘原 壮一

灘原 壮一 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-290430
公開番号（公開出願番号）：特開2000-188278
特許番号：特許第3647692号
出願日： 1999年10月13日
公開日（公表日）： 2000年07月04日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ストロンチウム及びルテニウムを有する金属酸化物からなる膜が表面に形成された基板を準備する工程と、酸化還元電位が2V以上の酸化剤を含むエッチング溶液を用いて、酸素を関与させた酸化還元反応により、前記金属酸化物を形成する各金属元素を有する酸化物に分解して前記基板上の前記膜を湿式エッチングする工程とを具備したことを特徴とするエッチング方法。
IPC (2件)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/308
FI (3件)：
H01L 21/306 D ,  H01L 21/308 E ,  H01L 21/306 R
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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