強誘電体容量絶縁膜用積層電極およびこれを用いた強誘電体容量素子

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-183229
公開番号（公開出願番号）：特開平10-027888
出願日： 1996年07月12日
公開日（公表日）： 1998年01月27日
要約：

【要約】【課題】 PZT等の強誘電体容量絶縁膜に、電極としてのRuO2 等の導電性セラミックス膜を形成する際の、強誘電体容量絶縁膜構成原子の拡散による組成ずれを防止する。【解決手段】強誘電体容量絶縁膜4と導電性セラミックス膜2との間に、白金薄膜3を介在させる。【効果】白金薄膜3が拡散バリアとなり、熱処理時における強誘電体容量絶縁膜4からのPbやBa等の拡散が防止され、誘電体特性の劣化が防止される。白金薄膜3は極く薄いので、イオンミリング等により容易にパターニングされ、微細加工性にも優れる。

請求項（抜粋）：

強誘電体容量絶縁膜の上部電極および下部電極の少なくとも何れか一方に、導電性セラミックス膜を用いた電極であって、前記強誘電体容量絶縁膜と前記導電性セラミックス膜との間に、白金薄膜を有することを特徴とする強誘電体容量絶縁膜用積層電極。

IPC (11件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/28 301 , H01L 21/3205 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/10 451 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 37/02

FI (7件)：

H01L 27/10 651 , H01L 21/28 301 R , H01L 27/10 451 , H01L 37/02 , H01L 21/88 Q , H01L 27/04 C , H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体集積回路コンデンサおよびその電極構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-097071 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-198422 出願人：オリンパス光学工業株式会社
マイクロ電子構造体とその製造法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-196766 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

全件表示

前のページに戻る