窒化物結晶の製造方法、窒化物結晶およびその製造装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-002145
公開番号（公開出願番号）：特開2011-068545
出願日： 2010年01月07日
公開日（公表日）： 2011年04月07日
要約：

【課題】酸素濃度が低くて高純度の窒化物結晶をアモノサーマル法によって効率よく成長させる方法を提供する。【解決手段】反応容器1内または反応容器1に繋がる閉回路内で、アンモニアと反応して鉱化剤を生成する反応性ガスとアンモニアとを接触させて鉱化剤を生成し、反応容器1内にてアンモニアと鉱化剤の存在下でアモノサーマル法によって反応容器1内に入れられた窒化物の結晶成長原料5から窒化物結晶を成長させる窒化物結晶の製造方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

反応容器内または反応容器に繋がる閉回路内で、アンモニアと反応して鉱化剤を生成する反応性ガスとアンモニアとを接触させて鉱化剤を生成し、前記反応容器内にてアンモニアと前記鉱化剤の存在下でアモノサーマル法によって反応容器内に入れられた窒化物の結晶成長原料から窒化物結晶を成長させることを特徴とする、窒化物結晶の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/38 , C30B 7/10

FI (2件)：

C30B29/38 D , C30B7/10

Fターム (24件)：

4G077AA02 , 4G077AB01 , 4G077AB03 , 4G077BE15 , 4G077CB04 , 4G077EA01 , 4G077EA04 , 4G077EA06 , 4G077EB01 , 4G077EB06 , 4G077EC09 , 4G077EC10 , 4G077EG02 , 4G077EG15 , 4G077EG21 , 4G077EG22 , 4G077EG25 , 4G077EH06 , 4G077HA12 , 4G077KA03 , 4G077KA09 , 4G077KA11 , 4G077KA12 , 4G077KA15

引用特許：

審査官引用 (5件)

窒化ガリウム基板
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-105835 出願人：住友電気工業株式会社
超臨界溶媒を用いた結晶製造方法、結晶成長装置、結晶およびデバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-178904 出願人：三菱化学株式会社, 国立大学法人東北大学
特開2008-329481

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引用文献：

審査官引用 (1件)

Large- area AlN substrates for electronic applications:An industrial perspective

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