特許
J-GLOBAL ID：200903055603490309

超臨界溶媒を用いた結晶製造方法、結晶成長装置、結晶およびデバイス

発明者：
川端 紳一郎

川端 紳一郎 について

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吉川 彰

吉川 彰 について

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鏡谷 勇二

鏡谷 勇二 について

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福田 承生

福田 承生 について


出願人/特許権者：
三菱化学株式会社

三菱化学株式会社 について

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国立大学法人東北大学

国立大学法人東北大学 について


代理人 (1件)： 特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-178904
公開番号（公開出願番号）：特開2007-039321
出願日： 2006年06月29日
公開日（公表日）： 2007年02月15日
要約：
【課題】結晶の析出位置を制御し、結晶の収率を向上させ、また、結晶への不純物混入を防止して結晶を高純度化するソルボサーマル法による結晶製造方法、結晶製造装置を提供する。【解決手段】溶媒と臨界密度の異なる物質を反応容器内に所定量存在させ、ソルボサーマル法により結晶成長を行う結晶製造方法、結晶製造装置である。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
反応容器中で、超臨界状態及び/又は亜臨界状態の溶媒、並びに原料を用いて結晶を成長させる結晶製造方法において、 該反応容器中に、下記式(1)を満足し、該溶媒との臨界密度差が25%以上である物質(X)を存在させ、かつ、 該物質(X)の量を調整することにより結晶の析出位置を制御することを特徴とする結晶製造方法。
IPC (6件)：
C30B 7/10 ,  C30B 29/38 ,  C30B 29/16 ,  C30B 29/18 ,  C01B 21/06 ,  B01J 3/00
FI (6件)：
C30B7/10 ,  C30B29/38 D ,  C30B29/16 ,  C30B29/18 ,  C01B21/06 A ,  B01J3/00 A
Fターム (15件)：
4G077AA02 ,  4G077BB03 ,  4G077BB07 ,  4G077BE15 ,  4G077CB04 ,  4G077EA02 ,  4G077EA03 ,  4G077EA06 ,  4G077EB01 ,  4G077EG22 ,  4G077EJ09 ,  4G077HA02 ,  4G077HA04 ,  4G077HA11 ,  4G077HA12
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (6件)
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