窒化物半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-275429
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102564
特許番号：特許第3723018号
出願日： 1999年09月29日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
請求項（抜粋）：

【請求項1】窒化ガリウムバッファ層の上に、アンドープ窒化ガリウム層と、ノンドープの窒化ガリウムまたは窒化インジウム・ガリウムから成るチャネル層と、n型不純物をドープした窒化アルミニウム・ガリウムから成る電子供給層とが順に形成され、上記チャネル層と上記電子供給層とがヘテロ接合を有する選択ドープ構造において、上記電子供給層と上記チャネル層との間に、窒化ガリウムと格子整合し、弾性的な歪みを有しない窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム層を挿入したことを特徴とする高電子移動度トランジスタ。

IPC (3件)：