特許
J-GLOBAL ID:201103032838779509
加熱装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
井上 俊夫
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-076158
公開番号(公開出願番号):特開2000-269154
特許番号:特許第4435322号
出願日: 1999年03月19日
公開日(公表日): 2000年09月29日
請求項(抜粋):
【請求項1】 被処理基板を収納する容器と、
被処理基板を加熱するための加熱手段と、
被処理基板を出し入れするために前記容器の側壁部の一部に設けられた基板挿入口と、
前記容器の側壁部の、基板挿入口を除く内周面の熱吸収度を前記基板挿入口の熱吸収度と同程度にするために、基板挿入口を除く前記内周面に周方向に沿って設けられた溝と、を具備することを特徴とする加熱装置。
IPC (2件):
H01L 21/26 ( 200 6.01)
, H01L 21/205 ( 200 6.01)
FI (2件):
H01L 21/26 G
, H01L 21/205
引用特許:
出願人引用 (4件)
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半導体基板の赤外線加熱方法及び赤外線加熱装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-173490
出願人:富士通株式会社
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枚葉式の熱処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-219669
出願人:東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン東北株式会社
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熱処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-357816
出願人:大日本スクリーン製造株式会社
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枚葉式熱処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-011698
出願人:東京エレクトロン株式会社
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審査官引用 (4件)