光変調器集積半導体レーザ及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：稲垣清
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-028407
公開番号（公開出願番号）：特開2000-228558
特許番号：特許第3264369号
出願日： 1999年02月05日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
請求項（抜粋）：

【請求項1】分布帰還型半導体レーザと電界吸収型光変調器とを同一基板上に集積して成る光変調器集積半導体レーザにおいて、分布帰還型半導体レーザの光導波路の全領域を、該光導波路のバンドギャップ及び膜厚がテーパ状に変化する遷移領域として形成し、該遷移領域は電流が注入される活性領域として構成したことを特徴とする光変調器集積半導体レーザ。

IPC (2件)：