半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：花輪義男
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-035759
公開番号（公開出願番号）：特開2000-235979
特許番号：特許第3465617号
出願日： 1999年02月15日
公開日（公表日）： 2000年08月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】回路素子形成領域と、前記回路素子形成領域を囲む周辺部に少なくとも1つの接地電位用を含む複数の接続パッドとが上面に設けられた半導体基板上に、少なくとも、第1の絶縁膜が形成され、該第1の絶縁膜上に前記回路素子形成領域全面を覆って形成され、前記接地電位用の接続パッドに接続されたバリア層と、該バリア層上に形成された第2の絶縁膜と、該第2の絶縁膜上に形成され、前記接続パッドの少なくとも1つに接続された薄膜回路素子と、最上層に前記バリア層および前記薄膜回路素子に接続された柱状電極および該柱状電極間に設けられた封止膜を有する半導体装置であって、前記第1の絶縁膜に前記複数の接続パッドを露出する開口部を設けて前記各接続パッド上に第1の接続パッド部を形成し、前記バリア層を前記接地電位用の接続パッド上に形成された前記第1の接続パッド部に接続し、前記第2の絶縁膜に前記各第1の接続パッド部を露出する開口部を設けて前記各第1の接続パッド部上に第2の接続パッド部を形成し、前記薄膜回路素子および前記柱状電極を前記第2の接続パッド部に接続したことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/60 , H01L 21/822 , H01L 27/04

FI (3件)：

H01L 21/88 Z , H01L 21/92 602 G , H01L 27/04 L

引用特許：

出願人引用 (7件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-259861 出願人：新光電気工業株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-086024 出願人：オリンパス光学工業株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-038434 出願人：日本電装株式会社

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審査官引用 (7件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-259861 出願人：新光電気工業株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-086024 出願人：オリンパス光学工業株式会社
基準平面金属化層を有する集積回路電気装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-278555 出願人：ディジタルイクイプメントコーポレイション

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