荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：松山允之 , 池上徹真
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-060334
公開番号（公開出願番号）：特開2011-198783
出願日： 2010年03月17日
公開日（公表日）： 2011年10月06日
要約：

【目的】欠陥を吸収体パターンの領域内に包含させた描画データで欠陥が存在する基板を描画可能な装置を提供する。【構成】描画装置100は、EUV光の吸収体膜が形成されていると共に、光学的に読取可能なIDが形成された基板からIDを読み取る読取装置121と、IDに対応付けされた、欠陥位置情報と、欠陥サイズ情報と、描画用のパターンデータとを記憶する記憶装置109と、パターンデータのうちの少なくとも欠陥が含まれる領域分の部分パターンデータと、欠陥位置情報と、欠陥サイズ情報とを入力し、パターニング後に吸収体膜が残る領域に欠陥が位置するようにパターンレイアウトが構成されているかどうかを検証する検証部66と、パターニング後に吸収体膜が残る領域に欠陥が位置するようにパターンレイアウトが構成されているパターンデータに基づいて、電子ビームを用いて基板にパターンを描画する描画部150と、を備えたことを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

極端紫外(EUV:Extreme Ultra Violet)光を吸収する吸収体膜が形成されていると共に、光学的に読取可能な識別子(ID)が形成された基板から前記識別子を読み取る読取部と、前記識別子に対応付けされた、前記基板の欠陥の位置を示す欠陥位置情報と、前記欠陥のサイズを示す欠陥サイズ情報と、描画用のパターンデータとを記憶する記憶部と、前記パターンデータのうちの少なくとも前記欠陥が含まれる領域分の部分パターンデータと、前記欠陥位置情報と、前記欠陥サイズ情報とを入力し、パターニング後に前記吸収体膜が残る領域に前記欠陥が位置するようにパターンレイアウトが構成されているかどうかを検証する検証部と、パターニング後に前記吸収体膜が残る領域に前記欠陥が位置するようにパターンレイアウトが構成されているパターンデータに基づいて、荷電粒子ビームを用いて前記基板にパターンを描画する描画部と、を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 1/16

FI (4件)：

H01L21/30 541D , G03F1/16 A , G03F1/16 F , G03F1/16 G

Fターム (7件)：

2H095BA10 , 2H095BB02 , 2H095BB33 , 2H095BD04 , 2H095BD36 , 5F056BA08 , 5F056CA11

引用特許：

審査官引用 (4件)

パターン形成方法及び露光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-203050 出願人：株式会社東芝
フォトマスクの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-168239 出願人：HOYA株式会社
位相シフトマスクの残留欠陥修正方法とその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-064427 出願人：セイコー電子工業株式会社

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