特許
J-GLOBAL ID：201103036128245896

硫化物薄膜デバイス及びその製造方法

発明者：
百瀬 成空

百瀬 成空 について

, 
橋本 佳男

橋本 佳男 について


出願人/特許権者：
独立行政法人国立高等専門学校機構

独立行政法人国立高等専門学校機構 について

, 
国立大学法人信州大学

国立大学法人信州大学 について


代理人 (1件)： 三枝 弘明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-052158
公開番号（公開出願番号）：特開2011-187732
出願日： 2010年03月09日
公開日（公表日）： 2011年09月22日
要約：
【課題】太陽電池や発光ダイオードなどの半導体素子に多元系硫化物薄膜を用いる際に好適な電気伝導性・強度を有する裏面電極材料及びその製造方法を提供する。【解決手段】珪化化合物となる金属化学種を同時にスパッタ堆積し、さらに硫化化合物となる金属化学種またはこれらの硫化物を堆積し、これを硫黄雰囲気下にて加熱することにより基材表面に金属珪化物と硫化物の積層薄膜を同時に固定化させる。あるいは、珪化化合物となる金属化学種を同時にスパッタ堆積し、これを熱処理することで金属珪化物薄膜を基材表面に固定化し、この表面に硫化物薄膜を固定化させる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、該基板上に形成された金属シリサイドよりなる電極層と、該電極層上に形成された硫化物層とを有することを特徴とする硫化物薄膜デバイス。
IPC (2件)：
H01L 21/28 ,  H01L 31/04
FI (3件)：
H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301S ,  H01L31/04 E
Fターム (23件)：
4M104AA03 ,  4M104AA09 ,  4M104BB21 ,  4M104CC01 ,  4M104DD02 ,  4M104DD78 ,  4M104DD84 ,  4M104FF02 ,  4M104GG04 ,  5F051AA10 ,  5F051CB15 ,  5F051CB27 ,  5F051FA06 ,  5F051FA15 ,  5F051FA24 ,  5F051GA03 ,  5F151AA10 ,  5F151CB15 ,  5F151CB27 ,  5F151FA06 ,  5F151FA15 ,  5F151FA24 ,  5F151GA03
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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