特許
J-GLOBAL ID：200903045807923004
CIS系薄膜太陽電池の製造方法
発明者：
,
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
青木 篤
, 鶴田 準一
, 島田 哲郎
, 下道 晶久
, 南山 知広
, 水谷 好男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-132100
公開番号（公開出願番号）：特開2009-283560
出願日： 2008年05月20日
公開日（公表日）： 2009年12月03日
要約：
【課題】高い光電変換効率を達成するCIS系薄膜太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の方法は、基板上に裏面電極層を形成し、その上にp型CIS系光吸収層を形成し、さらにn型透明導電膜を形成する、各ステップを備えるCIS系薄膜太陽電池の製造方法において、p型CIS系光吸収層を形成するステップは、I族元素を含む第1の金属層(31、32)とIII族元素を含む第2の金属層(33)とを少なくとも備える金属プリカーサー膜(30a)を形成するステップと、前記金属プリカーサー膜をセレン化および/または硫化するステップとを備え、金属プリカーサー膜を形成するステップは、第1の金属層(31、32)または第2の金属層(33)のいずれか一方を、アルカリ金属を含む層(31)とアルカリ金属を実質的に含まない層(32)との少なくとも2層で形成するステップを含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に裏面電極層を形成し、
前記裏面電極層上にp型CIS系光吸収層を形成し、
前記p型CIS系光吸収層上にn型透明導電膜を形成する、各ステップを備えるCIS系薄膜太陽電池の製造方法において、
前記p型CIS系光吸収層を形成するステップは、I族元素を含む第1の金属層とIII族元素を含む第2の金属層とを少なくとも備える金属プリカーサー膜を形成するステップと、前記金属プリカーサー膜をセレン化および/または硫化するステップとを備え、
前記金属プリカーサー膜を形成するステップは、前記第1の金属層または第2の金属層のいずれか一方を、アルカリ金属を含む層とアルカリ金属を実質的に含まない層との少なくとも2層で形成するステップを含む、CIS系薄膜太陽電池の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
5F051AA10
, 5F051CB15
, 5F051FA02
, 5F051FA06
, 5F051GA03
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (5件)
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