特許
J-GLOBAL ID：201103036190472408
半導体発光装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-180402
公開番号（公開出願番号）：特開2011-035184
出願日： 2009年08月03日
公開日（公表日）： 2011年02月17日
要約：
【課題】レーザーリフトオフ法による基板と半導体層との分離を良好に行える半導体発光装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の半導体発光装置の製造方法は、基板1の主面に発光層を有する半導体層12a、12bを形成する工程と、基板1の主面上で半導体層12a、12bを複数の素子12に分離する分離溝31を形成する工程と、半導体層12a、12bを覆い、分離溝31の底面を覆う絶縁膜15を基板1の主面上に形成する工程と、基板1における主面の反対面側から半導体層12aにレーザ光Lを照射して、半導体層12aと基板1とを分離する工程とを備え、レーザ光Lの照射範囲の縁部50が分離溝31に位置するようにレーザ光Lを照射する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板の主面に、発光層を有する半導体層を形成する工程と、
前記基板の前記主面上で前記半導体層を複数の素子に分離する分離溝を形成する工程と、
前記半導体層を覆い、前記基板上に設けられた前記分離溝の底面を覆う絶縁膜を前記基板の前記主面上に形成する工程と、
前記基板における前記主面の反対面側から前記半導体層にレーザ光を照射して、前記半導体層と前記基板とを分離する工程と、
を備え、
前記レーザ光の照射範囲の縁部が、前記分離溝に隣接する前記半導体層の縁部近傍に位置するように前記レーザ光を照射することを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
5F041AA41
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA74
, 5F041CA76
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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