チップキャリヤ基板

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村稔 (外9名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-082892
公開番号（公開出願番号）：特開2002-343900
特許番号：特許第3486184号
出願日： 1999年07月07日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】上部面および下部面を有している銅の層を備えている下部導体層、およびベースの上に形成され、上部面および下部面を有する銅の層を備えている少なくとも一つの上部導体層;隣接する導体層を相互接続し、実質的に同じ高さであるように陽極酸化により形成された、複数のアルミニウムスタッド;直接接触を防ぐために前記アルミニウムスタッドのそれぞれとその下の銅の層とを電気的に接続する、該アルミニウムスタッドのそれぞれの下に設けられたバリヤ金属の層;および各前記上部導体層の前記銅の層の下部面を覆い、該覆うことにより少なくとも一つの前記上部導体層と前記誘電体との間に配置され、該配置されることにより前記アルミニウムスタッドのそれぞれをその上の前記銅の層に接続する、チタン及びクロムの族から選択され、バリヤ金属としても作用する接着金属の層を備え、前記アルミニウムスタッドおよび少なくとも一つの前記導体層は、前記ベースに配置された高分子誘電体に埋め込まれることを特徴とするチップキャリヤ基板。

IPC (2件)：

H05K 3/46 , H01L 23/12

FI (5件)：

H05K 3/46 N , H05K 3/46 H , H05K 3/46 S , H01L 23/12 N , H01L 23/12 J

引用特許：

出願人引用 (5件)

薄膜多層回路とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-099013 出願人：株式会社日立製作所
特開昭54-134991
絶縁膜および半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-057155 出願人：ジェイエスアール株式会社

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審査官引用 (6件)

薄膜多層回路とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-099013 出願人：株式会社日立製作所
特開昭54-134991
特開昭54-134991

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