特許
J-GLOBAL ID：201103036747313669
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
綿貫 隆夫
, 堀米 和春
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-191354
公開番号（公開出願番号）：特開2001-022910
特許番号：特許第3557128号
出願日： 1999年07月06日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
請求項（抜粋）：
【請求項1】信号授受用のアンテナパターンが形成されたアンテナ基板と半導体素子とが電気的に接続されて接合された半導体装置を製造する際に、前記半導体素子が所定配置で形成された第1ウエハに、半導体素子の平面形状と同形のアンテナ形成領域のみが前記半導体素子の所定配置と同じ配置で形成され、該アンテナ形成領域に信号授受用のアンテナとして作用するアンテナパターンが形成された第2ウエハを、前記半導体素子の電極端子が形成された面と前記アンテナパターンが形成された面とが対向した状態で、各々の半導体素子に形成された電極端子と各々のアンテナ形成領域に形成されたアンテナパターンとを電気的に接続して接合した後、前記第1ウエハと前記第2ウエハを接合した状態で切断して、前記アンテナパターンが形成されたアンテナ基板と半導体素子とが電気的に接続されて接合された個片の半導体装置を得ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
G06K 19/077
, B42D 15/10
, G06K 19/07
G06K 19/00 K
, B42D 15/10 521
, G06K 19/00 H
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (8件)
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