特許

J-GLOBAL ID：201103036851324745

半導体装置およびその製造方法

発明者： 斉 藤 泰 伸 ,  大 野 哲 也 ,  新 田 智 洋 ,  吉 岡 啓 ,  藤 本 英 俊 ,  野 田 隆 夫 ,  垣 内 頼 人
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (5件)： 吉武 賢次 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康 ,  箱崎 幸雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-151993
公開番号（公開出願番号）：特開2011-009493
出願日： 2009年06月26日
公開日（公表日）： 2011年01月13日
要約：

【課題】閾値バラつきが小さく、特性変動の少ない半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】エピタキシャル成長法を用いた選択再成長によりゲート領域以外のAlGaN層を厚くするリセス構造のノーマリーオフ型の窒化物半導体装置において、トラップ準位の多い、エピタキシャル成長層と選択再成長層との界面に高濃度ドープ層5またはプレーナドーピング層52を設ける。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ゲート形成領域を含む第1の領域と、前記第1の領域を間に挟む第2の領域と、を有する基板と、 組成式AlXGa1-XN(0≦X≦1)で表われる窒化物半導体で前記基板上に形成され、第1の禁制帯幅を有するアンドープの第1の半導体層と、 組成式AlYGa1-YN(0≦Y≦1、X≦Y)で表される窒化物半導体で前記第1の半導体層上に形成され、前記第1の禁制帯幅以上の第2の禁制帯幅を有する、アンドープまたはn型の不純物がドープされた第2の半導体層と、 組成式AlGaN層(AlmGa1-mN(0≦m≦1、Y≦m))で表される窒化物半導体で前記第2の半導体層上の前記第2の領域に5nm以下の厚さで形成されて前記第2の禁制帯幅以上の第3の禁制帯幅を有する第3の半導体層と、 組成式AlZGa1-ZN(0≦Z≦1、Y≦Z)で表される窒化物半導体で前記第3の半導体上に形成され、前記第2の禁制帯幅以上の第4の禁制帯幅を有する、アンドープまたはn型の不純物がドープされた第4の半導体層と、 前記第4の半導体層上に形成され、前記第4の半導体層とオーミック接合しているソース電極およびドレイン電極と、 前記第2の半導体層上の前記第1の領域に形成されるゲート電極と、 を備える半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/49 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/78

FI (4件)：

H01L29/80 H ,  H01L29/58 G ,  H01L29/50 M ,  H01L29/78 301B

Fターム (35件)：

4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104CC05 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG12 ,  4M104GG14 ,  5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GN04 ,  5F102GN07 ,  5F102GN08 ,  5F102GR04 ,  5F102GV05 ,  5F102HC01 ,  5F102HC02 ,  5F140AA00 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BB06 ,  5F140BB18 ,  5F140BC12 ,  5F140BF43 ,  5F140BH06 ,  5F140BH27 ,  5F140BH49 ,  5F140BK18

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 電界効果半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-268336   出願人：サンケン電気株式会社
• エネルギー障壁を有するへテロ接合トランジスタおよび関連する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-335974   出願人：クリーインコーポレイテッド
• III-V族窒化物半導体を用いた半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-113985   出願人：松下電器産業株式会社
• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-216835   出願人：株式会社東芝