特許
J-GLOBAL ID：200903006202621752

III族窒化物半導体レーザ

発明者：
京野 孝史

京野 孝史 について

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秋田 勝史

秋田 勝史 について

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善積 祐介

善積 祐介 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (4件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  黒木 義樹 ,  近藤 伊知良
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-043398
公開番号（公開出願番号）：特開2009-200437
出願日： 2008年02月25日
公開日（公表日）： 2009年09月03日
要約：
【課題】良好な光閉じ込め性能と良好な結晶品質のInGaN井戸層とを共に有するIII族窒化物半導体レーザを提供する。【解決手段】活性層19は、第1の光ガイド層21と第2の光ガイド層23との間に設けられる。活性層19は、井戸層27a、27b、27cを含むことができ、またこれらの井戸層の間に設けられた少なくとも一つの第1の障壁層29aを有する。第1及び第2の光ガイド層21、23が、第1の障壁層29aのバンドギャップE29よりも小さい第1及び第2のInGaN領域21a、23aを含むので、第1及び第2の光ガイド層21、23の平均屈折率nGUIDEを第1の障壁層29aの屈折率n29よりも大きくできる。これ故に、光閉じ込めが良好になる。また、第1の障壁層29aのバンドギャップE29が第1及び第2のInGaN領域21a、23aのバンドギャップE21、E23よりも大きい。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
主面を有する基板と、 前記基板上に設けられIII族窒化物半導体からなるn型クラッド層と、 前記基板上に設けられIII族窒化物半導体からなるp型クラッド層と、 前記n型クラッド層と前記p型クラッド層との間に設けられた活性層と、 前記n型クラッド層と前記活性層との間に設けられた第1の光ガイド層と、 前記p型クラッド層と前記活性層との間に設けられた第2の光ガイド層と を備え、 前記活性層は、複数の井戸層と、前記井戸層の間に設けられた少なくとも一つの第1の障壁層とを含み、 前記第1の光ガイド層は、前記第1の障壁層のバンドギャップよりも小さく且つ前記井戸層のバンドギャップよりも大きいバンドギャップを有するInGaNからなる第1のInGaN領域を含み、 前記第2の光ガイド層は、InGaNからなる第2のInGaN領域を含み、 前記活性層の前記井戸層のうち前記第1の光ガイド層に最も近い井戸層は、第1の井戸層であり、 前記活性層の前記井戸層のうち前記第2の光ガイド層に最も近い井戸層は、第2の井戸層であり、 前記活性層は、前記第1の井戸層と前記第1の光ガイド層との間に設けられた第2の障壁層と、前記第2の井戸層と前記第2の光ガイド層との間に設けられた第3の障壁層とを含む、ことを特徴とするIII族窒化物半導体レーザ。
IPC (1件)：
H01S 5/343
FI (1件)：
H01S5/343 610
Fターム (7件)：
5F173AF55 ,  5F173AG17 ,  5F173AG21 ,  5F173AH22 ,  5F173AP06 ,  5F173AR26 ,  5F173AR85
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)
  • 半導体レーザ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-360412   出願人：パロ・アルト・リサーチ・センター・インコーポレーテッド
  • 半導体レーザ装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-315717   出願人：三菱電機株式会社

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