特許

J-GLOBAL ID：200903016344020794

窒化物結晶、窒化物結晶基板、エピ層付窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法

発明者： 石橋 恵二 ,  楫 登紀子 ,  中畑 成二 ,  西浦 隆幸
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-183111
公開番号（公開出願番号）：特開2007-005526
出願日： 2005年06月23日
公開日（公表日）： 2007年01月11日
要約：

【課題】 半導体デバイス用の基板として好ましく用いられ得るように結晶を破壊することなく直接かつ確実に評価された結晶表面層を有する窒化物結晶、窒化物結晶基板、エピ層付窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法を提供する【解決手段】 窒化物結晶の任意の特定結晶格子面のX線回折条件を満たしながら結晶の表面からのX線侵入深さを変化させるX線回折測定から得られる特定結晶格子面の面間隔において、0.3μmのX線侵入深さにおける面間隔d1と5μmのX線侵入深さにおける面間隔d2とから得られる|d1-d2|/d2の値で表される結晶の表面層の均一歪みが2.1×10-3以下であることを特徴とする窒化物結晶。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

窒化物結晶の任意の特定結晶格子面のX線回折条件を満たしながら前記結晶の表面からのX線侵入深さを変化させるX線回折測定から得られる前記特定結晶格子面の面間隔において、0.3μmの前記X線侵入深さにおける前記面間隔d1と5μmの前記X線侵入深さにおける前記面間隔d2とから得られる|d1-d2|/d2の値で表される前記結晶の表面層の均一歪みが2.1×10-3以下であることを特徴とする窒化物結晶。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  G01N 23/20 ,  H01L 21/66

FI (3件)：

H01L33/00 C ,  G01N23/20 ,  H01L21/66 K

Fターム (17件)：

2G001AA01 ,  2G001BA18 ,  2G001CA01 ,  2G001LA11 ,  2G001MA05 ,  4M106AA01 ,  4M106CA24 ,  4M106CA47 ,  4M106DH34 ,  4M106DH60 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 半導体基板用研磨組成物及びこれを用いた半導体基板製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-100373   出願人：ロデール・ニッタ株式会社, 住友電気工業株式会社
• 米国特許第6596079号明細書
  
• 米国特許第6488767号明細書
  
• 窒化ガリウム系化合物半導体基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-138667   出願人：松下電器産業株式会社

審査官引用 (3件)

• 単結晶表面層の評価方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-220073   出願人：伊藤進夫, 住友電気工業株式会社
• 高表面品質GaNウェーハおよびその製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-503865   出願人：アドバンストテクノロジーマテリアルズ,インコーポレイテッド
• セラミツクス部材の残留応力測定方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-246124   出願人：株式会社東芝