特許
J-GLOBAL ID：201103037231703890
成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-252375
公開番号（公開出願番号）：特開2011-096986
出願日： 2009年11月02日
公開日（公表日）： 2011年05月12日
要約：
【課題】真空容器内のテーブル上の基板載置領域に基板を載置して、少なくとも2種類の反応ガスを順番に基板に供給し、かつこの供給サイクルを複数回実行することにより反応生成物の層を積層して薄膜を形成するにあたり、基板を加熱する加熱手段の消費エネルギーを小さく抑えること。【解決手段】回転テーブル2を回転させてウエハW上にBTBASガスを吸着させ、次いでウエハWの表面にO3ガスを供給してウエハWの表面に吸着したBTBASガスを酸化させてシリコン酸化膜を成膜するにあたって、ウエハWを加熱してシリコン酸化膜を生成させるための加熱手段として、回転テーブル2の内周側から外周側に亘って帯状にレーザ光を照射するレーザ照射部201を用いる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
真空容器内にて互いに反応する少なくとも2種類の反応ガスを順番に基板の表面に供給しかつこの供給サイクルを実行することにより反応生成物の層を多数積層して薄膜を形成する成膜装置において、
前記真空容器内に設けられ、基板を載置するための基板載置領域を有するテーブルと、
このテーブル上の前記基板に第1の反応ガスを供給するための第1の反応ガス供給手段と、
前記テーブル上の前記基板に第2の反応ガスを供給するための第2の反応ガス供給手段と、
前記基板載置領域に対向するようにかつ前記基板載置領域上の基板における前記テーブルの中心側の端部と前記テーブルの外周側の端部との間に亘って帯状にレーザ光を照射するように設けられ、前記基板上にて第1の反応ガスの成分と第2の反応ガスの成分とを反応させて反応生成物を生成させるためのレーザ照射部と、
前記第1の反応ガス供給手段、前記第2の反応ガス供給手段及び前記レーザ照射部と前記テーブルとを相対的に回転させるための回転機構と、
前記真空容器内を排気するための真空排気手段と、を備え、
前記第1の反応ガス供給手段、前記第2の反応ガス供給手段及び前記レーザ照射部は、前記相対的な回転時に前記第1の反応ガスが供給される第1の処理領域、前記第2の反応ガスが供給される第2の処理領域及び前記レーザ光が照射される照射領域の順に基板が位置するように配置されていることを特徴とする成膜装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (24件)：
4K030AA06
, 4K030AA14
, 4K030BA44
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030EA06
, 4K030FA07
, 4K030GA06
, 4K030HA01
, 4K030KA02
, 4K030KA36
, 4K030LA15
, 5F045AA15
, 5F045AB32
, 5F045AC07
, 5F045AC15
, 5F045AC16
, 5F045AD12
, 5F045BB17
, 5F045DP27
, 5F045EF09
, 5F045EK12
, 5F045EK17
, 5F045EK19
