エッチング方法およびマイクロミラーの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：森幸一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-352351
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168081
特許番号：特許第4161493号
出願日： 1999年12月10日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】プラズマエッチング装置のウェーハステージ上にGa、Hg、はんだまたはInからなる導電体を設置し、上記ウェーハステージを上記導電体の融点以上の温度に保持することにより上記導電体を溶融させてその上にシリコン基板を載せ、上記ウェーハステージの温度を上記導電体の融点以下に下げることにより上記シリコン基板を上記ウェーハステージに固定してから上記シリコン基板のプラズマエッチングを行うことにより貫通孔を形成するようにしたエッチング方法。

IPC (2件)：