窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大西孝治 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-014392
公開番号（公開出願番号）：特開2001-210861
特許番号：特許第3335974号
出願日： 2000年01月24日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 N型GaN半導体層、活性層及びP型GaN半導体層が順次積層された窒化ガリウム系半導体発光素子において、前記活性層とP型GaN半導体層との間にドーピングが施されていないキャップ層が形成されており、前記キャップ層は、AlNとGaNとからなる超格子層であることを特徴とする窒化ガリウム系半導体発光素子。

IPC (2件)：