特許
J-GLOBAL ID：201103037441944610
窒化珪素質多層配線基板
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-230910
公開番号（公開出願番号）：特開2002-043756
特許番号：特許第4535575号
出願日： 2000年07月31日
公開日（公表日）： 2002年02月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 窒化珪素を主成分とする相対密度90%以上のセラミックスからなる絶縁基板と、少なくともメタライズ配線層とを具備する配線基板であって、前記メタライズ配線層がタングステン含有結晶相、セラミック相及び気孔とから構成されており、前記メタライズ配線層の断面における前記タングステン含有結晶相の面積比率が50〜95%であり、前記気孔の面積比率が5〜10%であり、前記タングステン含有結晶相として、少なくともタングステン(W)とタングステンシリサイド(W5Si3)とを含み、前記タングステンシリサイド(W5Si3)の(411)面のX線回折ピーク強度をI1、前記タングステン(W)の(110)面のX線回折ピーク強度をI2としたとき、I1/I2で表されるピーク強度比が0.1以下であり、且つ前記絶縁基板表面が、表面粗さ(Rmax)が10μm以下の焼き肌面によって形成されてなることを特徴とする窒化珪素質多層配線基板。
IPC (3件)：
H05K 3/46 ( 200 6.01)
, H05K 1/03 ( 200 6.01)
, H05K 1/09 ( 200 6.01)
H05K 3/46 S
, H05K 3/46 H
, H05K 3/46 T
, H05K 1/03 610 D
, H05K 1/09 B
