特許
J-GLOBAL ID:201103037600493757
半導体装置
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-012731
公開番号(公開出願番号):特開2011-176296
出願日: 2011年01月25日
公開日(公表日): 2011年09月08日
要約:
【課題】素子が破壊されるほど高い電圧が印加された場合であっても、素子の破壊を抑制する。【解決手段】第1の電圧が入力されることにより動作を行う半導体装置であって、第1の電圧の絶対値が基準値より大きいとき、第1の電圧の値を変化させる保護回路を具備し、保護回路は、第1の電圧に応じて第2の電圧を生成し、生成した第2の電圧を出力する制御信号生成回路と、電圧制御回路と、を備え、電圧制御回路は、ソース、ドレイン、及びゲートを有し、ゲートに制御信号として第2の電圧が入力され、第2の電圧に応じてオン状態又はオフ状態になることにより、第1の電圧の値をソース及びドレインの間に流れる電流量に応じて変化させるか否かを制御するトランジスタを含み、トランジスタは、チャネル形成層としての機能を有する酸化物半導体層をさらに有し、酸化物半導体層のバンドギャップは、2eV以上である。【選択図】図1
請求項(抜粋):
第1の電圧が入力されることにより動作を行う半導体装置であって、
前記第1の電圧の絶対値が基準値より大きいとき、前記第1の電圧の値を変化させる保護回路を具備し、
前記保護回路は、
前記第1の電圧に応じて第2の電圧を生成し、生成した前記第2の電圧を出力する制御信号生成回路と、
電圧制御回路と、を備え、
前記電圧制御回路は、
ソース、ドレイン、及びゲートを有し、前記ゲートに制御信号として前記第2の電圧が入力され、前記第2の電圧に応じてオン状態又はオフ状態になることにより、前記第1の電圧の値を前記ソース及び前記ドレインの間に流れる電流量に応じて変化させるか否かを制御するトランジスタを含み、
前記トランジスタは、チャネル形成層としての機能を有する酸化物半導体層をさらに有し、
前記酸化物半導体層のバンドギャップは、2eV以上であることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件):
H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 29/786
, H03K 17/08
FI (4件):
H01L27/04 H
, H01L29/78 618B
, H01L29/78 623A
, H03K17/08 C
Fターム (101件):
5F038BG04
, 5F038BH02
, 5F038BH03
, 5F038BH04
, 5F038BH07
, 5F038BH15
, 5F038EZ01
, 5F038EZ14
, 5F038EZ15
, 5F038EZ17
, 5F038EZ20
, 5F110AA22
, 5F110BB01
, 5F110BB11
, 5F110BB20
, 5F110CC01
, 5F110CC02
, 5F110CC03
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD03
, 5F110DD04
, 5F110DD05
, 5F110DD07
, 5F110DD12
, 5F110DD13
, 5F110DD14
, 5F110DD15
, 5F110DD17
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE06
, 5F110EE14
, 5F110EE31
, 5F110EE44
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF04
, 5F110FF09
, 5F110FF28
, 5F110FF30
, 5F110GG01
, 5F110GG02
, 5F110GG03
, 5F110GG06
, 5F110GG07
, 5F110GG12
, 5F110GG13
, 5F110GG14
, 5F110GG15
, 5F110GG17
, 5F110GG19
, 5F110GG25
, 5F110GG28
, 5F110GG35
, 5F110GG43
, 5F110GG57
, 5F110GG58
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK06
, 5F110HK07
, 5F110HK21
, 5F110HK22
, 5F110HM15
, 5F110NN03
, 5F110NN04
, 5F110NN12
, 5F110NN22
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN27
, 5F110NN34
, 5F110NN35
, 5F110NN39
, 5F110NN40
, 5F110NN71
, 5F110NN72
, 5F110NN74
, 5F110NN78
, 5F110QQ02
, 5F110QQ06
, 5F110QQ17
, 5F110QQ19
, 5J055AX34
, 5J055BX16
, 5J055CX07
, 5J055DX12
, 5J055EX07
, 5J055EY12
, 5J055EY25
, 5J055EZ15
, 5J055EZ62
, 5J055FX05
, 5J055FX13
, 5J055FX33
, 5J055GX01
引用特許:
審査官引用 (6件)
-
RFタグ
公報種別:公開公報
出願番号:特願2007-267761
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
-
半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2007-332172
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
-
過電圧保護回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-107185
出願人:富士電機株式会社
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