特許
J-GLOBAL ID：200903006508127875

薄膜トランジスタ

発明者：
ユーニン リー

ユーニン リー について

, 
ベン エス オン

ベン エス オン について


出願人/特許権者：
ゼロックス コーポレイション

ゼロックス コーポレイション について


代理人 (4件)： 熊倉 禎男 ,  大塚 文昭 ,  西島 孝喜 ,  須田 洋之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-262479
公開番号（公開出願番号）：特開2008-098637
出願日： 2007年10月05日
公開日（公表日）： 2008年04月24日
要約：
【課題】配向した酸化亜鉛半導体層を有し、良好な電荷移動度とオン/オフ比を示す薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】薄膜トランジスタ(TFT)10は、基板16、誘電体層14、及び半導体層12を含む。半導体層12は、格子定数cのc軸が誘電体層14又は基板14に垂直になるように配向した酸化亜鉛ナノディスクを含む。誘電体層又は基板は、少なくとも1種類の極性官能基を含むか又は含むように変性された表面を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
薄膜トランジスタであって、 基板と、 ゲート電極、ソース電極及びドレーン電極と、 誘電体層と、 半導体層と、 を含み、前記半導体層は、c軸が前記誘電体層又は前記基板に垂直になるように配向した酸化亜鉛ナノディスクを含むことを特徴とする、薄膜トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  C01G 9/02
FI (5件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618Z ,  H01L29/78 620 ,  H01L29/78 626C ,  C01G9/02 A
Fターム (33件)：
4G047AA02 ,  4G047AB02 ,  4G047AC03 ,  4G047AD04 ,  5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF36 ,  5F110GG04 ,  5F110GG17 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG57
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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引用文献：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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