半導体装置及びその使用方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-048050
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252298
特許番号：特許第3255141号
出願日： 1999年02月25日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 n型のチャネルを持つ電界効果トランジスタ(FET)Aの近傍のアイソレーション領域上にn型ショットキー金属もしくは、p型オーミック金属により形成された電極Bを持ち、その電極Bを前記電界効果トランジスタ(FET)Aのソース領域のオーミック電極と接触させた構造を有する半導体装置において、前記電界効果トランジスタ(FET)Aが複数本のゲートを持つ構造であり、ソース電極中に前記電極Bが存在することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：