特許

J-GLOBAL ID：201103038360190065

半導体装置の製造方法

発明者： 塩谷 喜美 ,  前田 和夫 ,  猪鹿倉 博志
出願人/特許権者： キヤノン販売株式会社 ,  株式会社半導体プロセス研究所
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-371625
公開番号（公開出願番号）：特開2003-174029
特許番号：特許第3749162号
出願日： 2001年12月05日
公開日（公表日）： 2003年06月20日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 成膜ガスをプラズマ化して反応させ、被成膜基板上に低誘電率を有する絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法において、 前記成膜ガスは、シロキサン又はメチルシランのうち何れか一と、酸素含有ガスと、CF4、C2F6又はC3F8のうち何れか一であるエッチングガスとを含み、かつ前記エッチングガスにより成膜中の絶縁膜の表面に凹凸を形成しつつ成膜することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/316 ( 200 6.01) ,  C23C 16/40 ( 200 6.01) ,  C23C 16/505 ( 200 6.01) ,  H01L 21/768 ( 200 6.01) ,  H01L 23/522 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 21/316 X ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/505 ,  H01L 21/90 J

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 低誘電率材料およびCVDによる処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-149738   出願人：エアプロダクツアンドケミカルズインコーポレイテッド
• 低κ誘電性無機/有機ハイブリッドフィルム及びその製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-545704   出願人：シリコンヴァレイグループサーマルシステムズリミテッドライアビリティカンパニー
• 硅素化合物膜およびその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-062797   出願人：富士通株式会社
• バイア被毒を緩和しつつ金属ライン間にボイドフリー低k誘電性材料を提供する集積回路構造のための低K誘電性複合材層
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-319053   出願人：エルエスアイロジックコーポレーション

審査官引用 (1件)

• 低誘電率材料およびCVDによる処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-149738   出願人：エアプロダクツアンドケミカルズインコーポレイテッド